2018R&S IoT电子产品EMC设计与测试技术研讨会

拿走不谢!268条PCB Layout设计规范(下)

2017-1-21 17:34 8175 0
简介
本文总结了PCB布线与布局和电路设计总共268条设计规范,整合自网络与大家一起分享,如有不妥欢迎指正。

接  拿走不谢!268条PCB Layout设计规范(中)



                     

181电路设计在速度能满足要求的前提下,尽量降低单片机的晶振和选用低速数字电路
182电路设计如有可能,在PCB板的接口处加RC低通滤波器或EMI抑制元件(如磁珠、信号滤波器等),以消除连接线的干扰;但是要注意不要影响有用信号的传输
183电路设计时钟输出布线时不要采用向多个部件直接串行地连接〔称为菊花式连接〕;而应该经缓存器分别向其它多个部件直接提供时钟信号
184电路设计延伸薄膜键盘边界使之超出金属线12mm,或者用塑料切口来增加路径长度。 
185电路设计在靠近连接器的地方,要将连接器上的信号用一个L-C或者磁珠-电容滤波器接到连接器的机箱地上。 
186电路设计在机箱地和电路公共地之间加入一个磁珠。 
187电路设计电子设备内部的电源分配系统是遭受ESD电弧感性耦合的主要对象,电源分配系统防ESD措施:1将电源线和相应的回路线紧密绞合在一起;2在每一根电源线进入电子设备的地方放一个磁珠;3在每一个电源管脚和紧靠电子设备机箱地之间放一个瞬流抑制器、金属氧化压敏电阻(MOV)或者1kV高频电容;4最好在PCB上布置专门的电源和地平面,或者紧密的电源和地栅格,并采用大量旁路和去耦电容。
188电路设计在接收端放置串联的电阻和磁珠,对易被ESD击中的电缆驱动器,也可在驱动端放置串联的电阻或磁珠。 
189电路设计在接收端放置瞬态保护器。1用短而粗的线(长度小于5倍宽度,最好小于3倍宽度)连接到机箱地。2从连接器出来的信号线和地线要直接接到瞬态保护器,然后才能接电路的其它部分。
190电路设计在连接器处或者离接收电路25mm(1.0英寸)的范围内,放置滤波电容。1用短而粗的线连接到机箱地或者接收电路地(长度小于5倍宽度,最好小于3倍宽度)。2信号线和地线先连接到电容再连接到接收电路。
191机壳金属机箱上,开口最大直径≤λ/20,λ为机内外最高频电磁波的波长;非金属机箱在电磁兼容设计上视同为无防护。
192机壳屏蔽体的接缝数最少;屏蔽体的接缝处,多接点弹簧压顶接触法具有较好的电连续性;通风孔D<3mm,这个孔径能有效避免较大的电磁泄露或进入;屏蔽开口处(如通风口)用细铜网或其它适当的导电材料封堵;通风孔金属网如须经常取下,可用螺钉或螺栓沿孔口四周固定,但螺钉间距<25mm以保持连续线接触
193机壳f>1MHz,0.5mm厚的任何金属板屏蔽体,都将场强减弱99%;当f>10MHz,0.1mm的铜皮屏蔽体将场强减弱99%以上;f>100MHz,绝缘体表面的镀铜层或镀银层就是良好的屏蔽体。但需注意,对塑料外壳,内部喷覆金属涂层时,国内的喷涂工艺不过关,涂层颗粒间连续导通效果不佳,导通阻抗较大,应重视其喷涂不过关的负面效果。
194机壳整机保护地连接处不涂绝缘漆,要保证与保护地电缆可靠的金属接触,避免仅仅依靠螺丝螺纹做接地连接的错误方式
195机壳建立完善的屏蔽结构,带有接地的金属屏蔽壳体可将放电电流释放到地
196机壳建立一个击穿电压为20kV的抗ESD环境;利用增加距离来保护的措施都是有效的。
197机壳电子设备与下列各项之间的路径长度超过20mm,包括接缝、通风口和安装孔在内任何用户操作者能够接触到的点,可以接触到的未接地金属,如紧固件、开关、操纵杆和指示器。
198机壳在机箱内用聚脂薄膜带来覆盖接缝以及安装孔,这样延伸了接缝/过孔的边缘,增加了路径长度。 
199机壳用金属帽或者屏蔽塑料防尘盖罩住未使用或者很少使用的连接器。 
200机壳使用带塑料轴的开关和操纵杆,或将塑料手柄/套子放在上面来增加路径长度。避免使用带金属固定螺丝的手柄。 
201机壳将LED和其它指示器装在设备内孔里,并用带子或者盖子将它们盖起来,从而延伸孔的边沿或者使用导管来增加路径长度。 
202机壳将散热器靠近机箱接缝,通风口或者安装孔的金属部件上的边和拐角要做成圆弧形状。 
203机壳塑料机箱中,靠近电子设备或者不接地的金属紧固件不能突出在机箱中。 
204机壳高支撑脚使设备远离桌面或地面可以解决桌面/地面或者水平耦合面的间接ESD耦合问题。
205机壳在薄膜键盘电路层周围涂上粘合剂或密封剂。 
206机壳机箱结合点和边缘防护准则:结合点和边缘很关键,在机箱箱体接合处,要使用耐高压硅树脂或者垫圈实现密闭、防ESD、防水和防尘。 
207机壳不接地机箱至少应该具有20kV的击穿电压(规则A1到A9);而对接地机箱,电子设备至少要具备1500V击穿电压以防止二级电弧,并且要求路径长度大于等于2.2mm。 
208机壳机箱用以下屏蔽材料制作:金属板;聚酯薄膜/铜或者聚酯薄膜/铝压板;具有焊接结点的热成型金属网;热成型金属化的纤维垫子(非编织)或者织物(编织);银、铜或者镍涂层;锌电弧喷涂;真空金属处理;无电电镀;塑料中加入导体填充材料;
209机壳屏蔽材料防电化学腐蚀准则:相互接触的部件彼此之间的电势 (EMF)<0.75V。如果在一个盐性潮湿环境中,那么彼此之间的电势必须<0.25V。阳极(正极)部件的尺寸应该大于阴极(负极)部件。
210机壳用缝隙宽度5倍以上的屏蔽材料叠合在接缝处。 
211机壳在屏蔽层与箱体之间每隔20mm(0.8英寸)的距离通过焊接、紧固件等方式实现电连接。 
212机壳用垫圈实现缝隙的桥接,消除开槽并且在缝隙之间提供导电通路。 
213机壳避免屏蔽材料中出现直拐角以及过大的弯角。 
214机壳孔径≤20mm以及槽的长度≤20mm。相同开口面积条件下,优先采取开孔而不是开槽。 
215机壳如果可能,用几个小的开口来代替一个大的开口,开口之间的间距尽量大。
216机壳对接地设备,在连接器进入的地方将屏蔽层和机箱地连接在一起;对未接地(双重隔离)设备,将屏蔽材料同开关附近的电路公共地连接起来。 
217机壳尽可能让电缆进入点靠近面板中心,而不是靠近边缘或者拐角的位置。 
218机壳在屏蔽装置中排列的各个开槽与ESD电流流过的方向平行而不是垂直。  
219机壳在安装孔的位置使用带金属支架的金属片来充当附加的接地点,或者用塑料支架来实现绝缘和隔离。
220机壳在塑料机箱上的控制面板和键盘位置处安装局部屏蔽装置来阻止ESD: 
221机壳电源连接器和引向外部的连接器的位置,要连接到机箱地或者电路公共地。
222机壳在塑料中使用聚酯薄膜/铜或者聚酯薄膜/铝压板,或者使用导电涂层或导电填充物。
223机壳在铝板上使用薄的导电铬化镀层或者铬酸盐涂层 ,但不能采用阳极电镀。
224机壳在塑料中要使用导电填充材料。注意铸型部件表面通常有树脂材料,很难实现低电阻的连接。 
225机壳在钢材料上使用薄的导电铬酸盐涂层。 
226机壳让清洁整齐的金属表面直接接触而不要依靠螺钉来实现金属部件的连接。 
227机壳沿整个外围用屏蔽涂层(铟锡氧化物、铟氧化物和锡氧化物等)将显示器与机箱屏蔽装置连接在一起。 
228机壳在操作者常接触的位置处,要提供一个到地的抗静电(弱导电)路径,比如键盘上的空格键。 
229机壳要让操作员很难产生到金属板边缘或角的电弧放电。电弧放电到这些点会比电弧放电到金属板中心导致更多间接ESD的影响。 
230其他显示窗口的屏蔽防护准则:1加装屏蔽防护窗;2对外电路部分与机内的电路连接通过滤波器件相连。
231其他按键窗口防护准则:
232器件选型电容器尽量选择贴片电容,引线电感小。
233器件选型稳定电源的供电旁路电容,选择电解电容
234器件选型交流耦合及电荷存储用电容器选择聚四氟乙烯电容器或其它聚脂型(聚丙烯、聚苯乙烯等)电容器。
235器件选型高频电路退耦用单片陶瓷电容器
236器件选型电容选择的标准是:
尽可能低的ESR电容;
尽可能高的电容的谐振频率值;
237器件选型铝电解电容器应当避免在下述情况下使用:
a、高温(温度超过最高使用温度)
b、过流(电流超过额定纹波电流),施加纹波电流超过额定值後,会导致电容器体过热,容量下降,寿命缩短。
c、过压(电压超过额定电压),当电容器上所施加电压高於额定工作电压时,电容器的漏电流将上升,其电氧物性将在短期内劣化直至损坏。
d、施加反向电压或交流电压,当值流铝电解电容器按反极性接入电路时,电容器会导致电子线路短路,由此产生的电流会引致电容器损坏。若电路中有可能在负引线施加正极电压,请选无极性产品。
e、使用於反复多次急剧充放电的电路中,当常规电容器被用作快速充电用途。其使用寿命可能会因为容量下降,温度急剧上升等而缩减。
238器件选型只有在屏蔽机箱上才有必要使用滤波连接器
239器件选型选用滤波器连接器时,除了要选用普通连接器时要考虑的因素外,还应考虑滤波器的截止频率。当连接器中各芯线上传输的信号频率不同时,要以频率最高的信号为基准来确定截止频率
240器件选型封装尽可能选择表贴
241器件选型电阻选择首选碳膜,其次金属膜,因功率原因需选线绕时,一定要考虑其电感效应
242器件选型电容选择应注意铝电解电容、钽电解电容适用于低频终端;陶制电容适合于中频范围(从KHz到MHz);陶制和云母电容适合于甚高频和微波电路;尽量选用低ESR(等效串联电阻)电容
243器件选型旁路电容选择电解电容,容值选10-470PF,主要取决于PCB板上的瞬态电流需求
244器件选型去耦电容应选择陶瓷电容,容值选旁路电容的1/100或1/1000。取决于最快信号的上升时间和下降时间。比如100MHz取10nF,33MHz取4.7-100nF,选择ESR值小于1欧姆
选择NPO(锶钛酸盐电介质)用作50MHz以上去耦,选择Z5U(钡钛酸盐)用作低频去耦,最好是选择相差两个数量级的电容并联去耦
245器件选型电感选用时,选择闭环优于开环,开环时选择绕轴式优于棒式或螺线管式。选择铁磁芯应用于低频场合,选择铁氧体磁心应用于高频场合
246器件选型铁氧体磁珠 高频衰减10dB
247器件选型铁氧体夹 MHz频率范围的共模(CM)、差模(DM)衰减达10-20dB
248器件选型二极管选用:
肖特基二极管:用于快速瞬态信号和尖脉冲保护;
齐纳二极管:用于ESD(静电放电)保护;过电压保护;低电容高数据率信号保护
瞬态电压抑制二极管(TVS):ESD激发瞬时高压保护,瞬时尖脉冲消减
变阻二极管:ESD保护;高压和高瞬态保护
249器件选型集成电路:
选用 CMOS器件尤其是高速器件有动态功率要求,需要采取去耦措施以便满足其瞬时功率要求。
高频环境中,引脚会形成电感,数值约为1nH/1mm,引脚末端也会向后呈小电容效应,大约有4pF。表贴器件有利于EMI性能,寄生电感和电容值分别为0.5nH和0.5pF。
放射状引脚优于轴向平行引脚;
TTL与CMOS混合电路因为开关保持时间不同,会产生时钟、有用信号和电源的谐波,因此最好选择同系列逻辑电路。
未使用的CMOS器件引脚,要通过串联电阻接地或者接电源。
250器件选型滤波器的额定电流值取实际工作电流值的1.5倍。
251器件选型电源滤波器的选择:依据理论计算或测试结果,电源滤波器应达到的插损值为IL,实际选型时应选择插损为IL 20dB大小的电源滤波器。
252器件选型交流滤波器和支流滤波器在实际产品中不可替换使用,临时性样机中,可以用交流滤波器临时替代直流滤波器使用;但直流滤波器绝对不可用于交流场合,直流滤波器对地电容的滤波截止频率较低,交流电流会在其上产生较大损耗。
253器件选型避免使用静电敏感器件,选用器件的静电敏感度一般不低于2000V,否则要仔细推敲、设计抗静电的方法。在结构方面,要实现良好的地气连接及采取必要的绝缘或屏蔽措施,提高整机的抗静电能力
254器件选型带屏蔽的双绞线,信号电流在两根内导线上流动,噪声电流在屏蔽层里流动,因此消除了公共阻抗的耦合,而任何干扰将同时感应到两根导线上,使噪声相消
255器件选型非屏蔽双绞线抵御静电耦合的能力差些。但对防止磁场感应仍有很好作用。非屏蔽双绞线的屏蔽效果与单位长度的导线扭绞次数成正比
256器件选型同轴电缆有较均匀的特性阻抗和较低的损耗,使从直流到甚高频都有较好特性。
257器件选型凡是能不用高速逻辑电路的地方就不要用高速逻辑电路
258器件选型在选择逻辑器件时,尽量选上升时间比5ns长的器件,不要选比电路要求时序快的逻辑器件
259系统多个设备相连为电气系统时,为消除地环路电源引起的干扰,采用隔离变压器、中和变压器、光电耦合器和差动放大器共模输入等措施来隔离。
260系统识别干扰器件和干扰电路:在启停或运行状态下,电压变化率dV/dt、电流变化率di/dt较大的器件或电路,为干扰器件或干扰电路。
261系统在薄膜键盘电路和与其相对的邻近电路之间放置一个接地的导电层。
262线缆与接插件PCB布线与布局隔离准则:强弱电流隔离、大小电压隔离,高低频率隔离、输入输出隔离、数字模拟隔离、输入输出隔离,分界标准为相差一个数量级。隔离方法包括:屏蔽其中一个或全部独立屏蔽、空间远离、地线隔开。
263线缆与接插件无屏蔽的带状电缆。最佳接线方式是信号与地线相间,稍次的方法是一根地、两根信号再一根地依次类推,或专用一块接地平板
264线缆与接插件信号电缆屏蔽准则:1强干扰信号传输使用双绞线或专用外屏蔽双绞线。2直流电源线应用屏蔽线;3交流电源线应用扭绞线;4所有进入屏蔽区的信号线/电源线均须经过滤波。5一切屏蔽线(套)两端应与地有良好的接触,只要不产生有害接地环路,所有电缆屏蔽套都应两端接地,对非常长的电缆,则中间也应有接地点。6在灵敏的低电平电路中,以消除接地环路中可能产生的干扰,对每电路都应有各自隔离和屏蔽好接地线。
265线缆与接插件屏蔽线紧贴金属底板准则:所有带屏蔽层的电缆宜紧贴金属板安放,防止磁场穿过金属地板和屏蔽线外皮构成的回路
266线缆与接插件印刷电路的插头也要多安排一些零伏线作为线间隔离
267线缆与接插件减小干扰和敏感电路的环路面积最好办法是使用双绞线和屏蔽线
268线缆与接插件双绞线在低于100KHz下使用非常有效,高频下因特性阻抗不均匀及由此造成的波形反射而受到限制


全文完!



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